Технология создания 3D звука

         

Сабвуфер



Сабвуфер

Габариты сабвуфера составляют 27 х 30 х 30 сантиметров. При этом сабвуфер, на усмотрение пользователя, может устанавливаться на специальные металлические ножки-шипы (на фотографии общего вида они хорошо заметны).

Акустическим оформлением саба является схема с фазоинвертором. Отверстие ФИ выведено на боковую панель. Диффузор НЧ-динамика выведен на лицевую сторону и закрыт от механических повреждений защитной сеткой. Диаметр бумажного диффузора составляет 14 сантиметров. Гибкий подвес изготовлен из резины.


График АЧХ колонки сабвуфера A-H200,
измеренной на оси НЧ-динамика

Измеренный график АЧХ отображает нам реальный диапазон воспроизводимых частот НЧ-головки сабвуфера, который составляет 60 - 200 Гц.


График АЧХ сабвуфера A-H200,
измеренный перед отверстием фазоинвертора

Измерения АЧХ фазоинвертора показывают, что ФИ добавляет в звучание низкие частоты до 40 Гц. Таким образом, общий частотный диапазон звучания сабвуфера составит 40 Гц — 200 Гц.


Спектрограммы гармонических искажений сабвуфера A-H200,


измеренные на оси НЧ-динамика

У сабвуфера мы можем видеть также низкий уровень искажений, составляющий в рабочем диапазоне не более -46 дБ.


Спектрограммы гармонических искажений сабвуфера A-H200,
измеренные перед отверстием фазоинвертора

На измеренных спектрограммах перед отверстием фазоинвертора, также невысокий уровень искажений. В районе 40 Гц — частоты настройки фазоинвертора наблюдается закономерный подъем до -42 дБ.

Как мы говорили в самом начале, усилительная часть находится не во внешнем блоке, а внутри корпуса сабвуфера. Плата усилителя крепится к задней металлической панели. Здесь же расположен и тороидальный трансформатор 22 В на 2/4,5 Ам.

В качестве усилительных микросхем производитель использует три моно микросхемы LM3886 от National Semiconductor. Во избежание паразитных призвуков при звучании сабвуфера, все провода и разъемы очень хорошо закреплены. Стенки внутри корпуса обложены слоем синтепона.


График зависимости THD от мощности микросхемы LM3886

На приведенном графике зависимости THD от мощности можно видеть очень высокие значения мощности при низком уровне искажений, порядка 60 Вт при уровне искажений, составляющем менее 0,1%. Для своего класса акустики такие значения очень показательны.

На задней стороне сабвуфера расположены ребра радиатора, кнопка выключения питания с индикатором, механические зажимы для подключения колонок и разъемы для подключения внешнего блока.



Содержание раздела